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無(wú)論是無(wú)機(jī)材料還是有機(jī)材料制成的眼鏡片，在日常的使用中，由于與灰塵或砂礫（氧化硅）的摩擦都會(huì)造成鏡片磨損，在鏡片表面產(chǎn)生劃痕。與玻璃片相比，有機(jī)材料制成的硬性度比較低，更易產(chǎn)生劃痕。通過(guò)顯微鏡，我們可以觀察到鏡片表面的劃痕主要分為二種，一是由于砂礫產(chǎn)生的劃痕，淺而細(xì)小，戴鏡者不容易察覺(jué)；另一種是由較大砂礫產(chǎn)生的劃痕，深且周邊粗糙，處于中心區(qū)域則會(huì)影響視力。1、*代光學(xué)鍍膜系統(tǒng)技術(shù)抗磨損膜始于20世紀(jì)70年代初，當(dāng)時(shí)認(rèn)為玻璃鏡片不易磨制是因?yàn)槠溆捕雀?，而有機(jī)鏡片則太軟所以容易磨...

光學(xué)鍍膜系統(tǒng)是改變光學(xué)零件表面特征而鍍?cè)诠鈱W(xué)零件表面上的一層或多層膜?？梢允墙饘倌ぁ⒔橘|(zhì)膜或這兩類膜的組合。光學(xué)薄膜是各種先進(jìn)光電技術(shù)中*的一部分，它不僅能改善系統(tǒng)性能，而且是滿足設(shè)計(jì)目標(biāo)的必要手段，光學(xué)薄膜的應(yīng)用領(lǐng)域設(shè)及光學(xué)系統(tǒng)的各個(gè)方面，包括激光系統(tǒng)，光通信，光顯示，光儲(chǔ)存等，主要的光學(xué)薄膜器件包括反射膜、減反射膜、偏振膜、干涉濾光片和分光鏡等等。下面就由小編具體為大家介紹分析光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的基礎(chǔ)知識(shí)，以作為參考希望能夠幫助到大家。光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的定義是：涉及光在傳播路徑過(guò)程...

進(jìn)口雙模式刻蝕機(jī)全自動(dòng)上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺(tái)的深硅刻蝕系統(tǒng)，帶8"ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。進(jìn)口雙模式刻蝕機(jī)主要特點(diǎn)：基于PC控制的緊湊型立柜式百級(jí)DRIE深硅刻蝕系統(tǒng)，擁有高縱橫比的刻蝕能力；配套LabView軟件，菜單驅(qū)動(dòng)，自動(dòng)記錄數(shù)據(jù)；觸摸屏監(jiān)控；全自動(dòng)系統(tǒng)，帶安全聯(lián)鎖；四級(jí)權(quán)限，帶密碼保護(hù)；自動(dòng)上下載片；帶LoadLock預(yù)真空鎖；He...

全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)是物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，而上世紀(jì)70年代發(fā)展起來(lái)的全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)技術(shù)分類直流濺射法要求...

鍍膜是用物理或化學(xué)的方法在材料表面鍍上一層透明的電解質(zhì)膜，或鍍一層金屬膜，目的是改變材料表面的反射和透射特性。在可見(jiàn)光和紅外線波段范圍內(nèi)，大多數(shù)金屬的反射率都可達(dá)到78%~98%，但不可高于98%。無(wú)論是對(duì)于CO2激光，采用銅、鉬、硅、鍺等來(lái)制作反射鏡，采用鍺、砷化鎵、硒化鋅作為輸出窗口和透射光學(xué)元件材料，還是對(duì)于YAG激光采用普通光學(xué)玻璃作為反射鏡、輸出鏡和透射光學(xué)元件材料，都不能達(dá)到全反射鏡的99%以上要求。不同應(yīng)用時(shí)輸出鏡有不同透過(guò)率的要求，因此必須采用光學(xué)鍍膜方法。對(duì)...

干法刻蝕技術(shù)*，在芯片制造的過(guò)程中，硅片表面圖形的形成主要依靠光刻和刻蝕兩大模塊。光刻的目的是在硅片表面形成所需的光刻膠圖形，刻蝕則緊接其后地將光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到襯底或襯底上的薄膜層上。隨著特征尺寸要求越來(lái)越小，對(duì)光刻和刻蝕的要求也越來(lái)越高。通常一個(gè)刻蝕工藝包含以下特性：良好的刻蝕速率均勻性(Uniformity)，不僅僅是片內(nèi)的均勻性(WithinWafer)，還包括片與片之間(WafertoWafer)，批次與批次之間(LottoLot)。高選擇比(HighSelecti...

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