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光學(xué)鍍膜設(shè)備原理磁控濺射系統(tǒng)在陰極靶材的背后放置100～1000Gauss強(qiáng)力磁鐵,真空室充入011～10Pa壓力的惰性氣體(Ar),作為氣體放電的載體。光學(xué)鍍膜設(shè)備在高壓作用下Ar原子電離成為Ar+離子和電子,電子在加速飛向基片的過程中,受到垂直于電場的磁場影響,使電子產(chǎn)生偏轉(zhuǎn),被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),電子以擺線的方式沿著靶表面前進(jìn),在運(yùn)動過程中不斷與Ar原子發(fā)生碰撞,電離出大量的Ar+離子，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,zui終落在基片、...

硅片清洗機(jī)物理清洗有三種方法：①刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數(shù)粘在片子上的薄膜。②高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達(dá)幾百個(gè)大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產(chǎn)生劃痕和損傷。但高壓噴射會產(chǎn)生靜電作用，靠調(diào)節(jié)噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。③超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小于1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到超高頻頻段，清洗效果更好。硅片清洗機(jī)發(fā)展展望：伴隨著硅片的大直徑化,器件結(jié)構(gòu)的超微小化...

微波等離子清洗機(jī)技術(shù)的zui大特點(diǎn)是不分處理對象的基材類型，均可進(jìn)行處理，對金屬、半導(dǎo)體、氧化物和大多數(shù)高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亞胺、聚氯乙烷、環(huán)氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地處理，并可實(shí)現(xiàn)整體和局部以及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的清洗。經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，人們的生活水平不斷提高，對消費(fèi)品的質(zhì)量要求也越來越高，等離子技術(shù)隨之逐步進(jìn)入生活消費(fèi)品生產(chǎn)行業(yè)中；另外，科技的不斷發(fā)展，各種技術(shù)問題的不斷提出，新材料的不斷涌現(xiàn)，越來越多的科研機(jī)構(gòu)已認(rèn)識到等離子技術(shù)的重要性，并投入大量資金進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)，等離...

光學(xué)鍍膜系統(tǒng)在這個(gè)階段里要設(shè)計(jì)擬定出光學(xué)系統(tǒng)原理圖，確定基本光學(xué)特性，使?jié)M足給定的技術(shù)要求，即確定放大倍率或焦距、線視場或角視視場、數(shù)值孔徑或相對孔徑、共軛距、后工作距離光闌位置和外形尺寸等。因此，常把這個(gè)階段稱為外形尺寸計(jì)算。一般都按理想光學(xué)系統(tǒng)的理論和計(jì)算公式進(jìn)行外形尺寸計(jì)算。在計(jì)算時(shí)一定要考慮機(jī)械結(jié)構(gòu)和電氣系統(tǒng)，以防止在機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu)上無法實(shí)現(xiàn)。每項(xiàng)性能的確定一定要合理，過高要求會使設(shè)計(jì)結(jié)果復(fù)雜造成浪費(fèi)，過低要求會使設(shè)計(jì)不符合要求，因此這一步驟慎重行事。無論是無機(jī)材料還是有機(jī)...

隨著NANO-MASTER*技術(shù)的ICP源的深入應(yīng)用，對于大面積的基片提供均勻高品質(zhì)的薄膜生長得以實(shí)現(xiàn)。到目前為止，NANO-MASTER的ALD系統(tǒng)可以支持在任意尺寸的襯底上的擴(kuò)展，這給顯示和照明等領(lǐng)域帶來好消息。此外，NANO-MASTER同時(shí)具備粉末處理能力的擴(kuò)展。這樣，NANO-MASTER系統(tǒng)已經(jīng)可以支持在任意尺寸和任意形狀的固體上進(jìn)行原子級生長。在應(yīng)用選擇方面，我們支持熱ALD和PEALD系統(tǒng)的單獨(dú)應(yīng)用，同時(shí)也支持ALE/ALD雙系統(tǒng)、IBE/ALD雙系統(tǒng)、ALD...

微波等離子清洗機(jī)產(chǎn)生等離子體的裝置是在密封容器中設(shè)置兩個(gè)電極形成電場，用真空泵實(shí)現(xiàn)一定的真空度，隨著氣體愈來愈稀薄，分子間距及分子或離子的自由運(yùn)動距離也愈來愈長，受電場作用，微波等離子清洗機(jī)發(fā)生碰撞而形成等離子體，這些離子的活性很高，其能量足以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵，在任何暴露的表面引起化學(xué)反應(yīng)，不同氣體的等離子體具有不同的化學(xué)性能，如氧氣的等離子體具有很高的氧化性，能氧化光刻膠反應(yīng)生成氣體，從而達(dá)到清洗的效果；腐蝕性氣體的等離子體具有很好的各向異性，這樣就能滿足刻蝕的需要。微...

今年7月，北京理工的RIE-PECVD順利安裝驗(yàn)收。這套設(shè)備是Nano-Master極富特色的雙系統(tǒng)設(shè)備，一套設(shè)備中實(shí)現(xiàn)反應(yīng)離子刻蝕工藝，同時(shí)具備等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的工藝能力，既避免客戶擔(dān)心的交叉污染問題，又為實(shí)驗(yàn)室節(jié)省了寶貴的空間和預(yù)算，是大學(xué)院校和科研機(jī)構(gòu)的熱門選擇。NANO-MASTER(那諾-馬斯特)PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2,Si3N4,或DLC薄膜到zui大可達(dá)12”直徑的基片上,可以通過不同配置實(shí)現(xiàn)高速沉積，或控制氮化物薄膜應(yīng)力，或支持CNT和石...

八月初，深圳先進(jìn)院磁控濺射NSC-3500安裝條件已具備，NANO-MASTER的工程師們?yōu)樯钲谙冗M(jìn)院安裝調(diào)試實(shí)施。本套NSC-3500是帶機(jī)械手臂的全自動控制型號，標(biāo)準(zhǔn)配置帶有水冷或者加熱(zui高可加熱到700度)功能，zui大到6"旋轉(zhuǎn)平臺，zui大可支持到3個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達(dá)10-7Torr，15分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr的真空。通過調(diào)整磁控管與基片之間的距離，可以獲得想要的均勻度和沉積速度。NSC-3500帶有14"立方形不銹鋼腔...